三星迈进2纳米工艺

根据韩媒报道，三星正向 2 纳米工艺大步迈进，已讨论为高通和三星的 LSI 部门生产原型产品，表明一款未命名的 Exynos 可能正处于早期测试阶段。

消息称三星晶圆代工厂（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺，希望在未来的 2 纳米节点领域击败其主要竞争对手。

而最新报道称三星已经和高通深化合作关系，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代 ARM Cortex-X CPU。

高通公司有可能正在评估 2 纳米 SF2 GAAFET 工艺，以用于遥远的骁龙 8 Gen 5 芯片组，而三星 LSI 则可能正在开发 2 纳米 "Exynos 2600" 系统芯片设计。

责编：聚观365

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